GEST-201半导体硅片电阻率成像测定仪的详细资料：

产品名称：全自动晶圆成像电阻率测试仪

一、产品概述

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

二、仪器构成：

1、 高精度电阻率测试仪

3、 测试探头

高精度电阻率测量仪：

1.1电阻率：0.00001～20000Ω.cm (可扩展)

1.3电阻：0.00001～20000Ω.cm；

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度：±0.1% ；

3、恒流源：

3.2电流误差：±0.5%

三坐标测试移动品台：

2、X轴Y轴*小位移量：0.125MM

四探针测试电极：

上位机软件测量成像系统

2、 测量点数：可以设定

4、 2D成像：测试完成后，可以立体成像

——按照IEC60405的要求进行降雨和喷盐雾。——将绝缘子放置距5000W盗弧灯约48cm以内就可达到模拟太阳辐射。注：为了引用方便，各条款号与本标准正文相同。相同设计、材料和工艺情况下，只进行一次。依次在至少800mm长的3只试品上进行。-陡波前冲击电压：两个电极间的距离为500mm；

无击穿，依次在至少800mm长的6只试品上进行。没有破坏、没有抽出。2只试品，爬电距离在484mm至693mm之间。电压：1kV每34.6mm的爬电距离，不超过3次过流中断，没有起痕，没有击穿，没有蚀损至芯棒。注：对在恶劣的环境条件下使用的绝缘子，由用户和制造厂协议可采用两种供选择的试验程序。10只试品，6只试品，无击穿，无闪络，5只试样，依次在绝缘距离不小于800mm的4只试品上进行。注：本项试验进行与否，以及试验电压和接受的干水平，由相关产品标准或供需双方协议规定。无破坏，无裂纹或裂纹未达到芯棒。陡波前冲击电压,两电极间相隔500mm,正负极性各25次外部闪络。在下表D.1中综合给出所有试验及其次序和试品数量。

表E.1给出了本标准与IEC1992技术性差异及其原因的一览表。5.1.4.2陡度由“不小于1000kV/橢”修改为'陡度不小于1000kV/Ms但上限不超过5。陡度应该有范围，以便调整波形；对于整只正常生产的产品的爬电比距大于20mm/kV时，试验电压应经供需双方协议确定

半导体硅片电阻率成像测定仪

半导体硅片电阻率成像测定仪